En vertical, colección del Departamento de Estructura de la Materia, Física Térmica y Electrónica. Universidad Complutense de Madrid.
En horizontal, cedida por el Instituto de Microelectrónica de Barcelona. Centro Nacional de Microelectrónica. Barcelona.

En las obleas se aprecian los circuitos integrados que, posteriormente cortados y encapsulados, darían lugar a un gran número de chips.Cuanto mayor es la oblea, más chips se obtienen a la vez en el proceso de fabricación, abaratando los costes.

Obleas de Silicio de diferentes tamaños y tecnologías:
• 1.5-2” (años 60-70). Tecnología de 10 μm, programa Apollo.
• 4” (años 80). Tecnología de 1.5 μm.
• 6” (año 1999). Tecnología de 0.35 μm, Lucent Microelectrónica, España.
• 8” (año 2005). Tecnología de 90nm, IMEC, Bélgica.
• 12” (año 2009). Tecnología de 32nm con dieléctrico de alta permitividad. IMEC, Bélgica.
• En la actualidad se comercializan obleas de 450mm.

En horizontal, oblea de Si de 4” fabricada en el CNM de Barcelona, tecnología CMOS- CNM25, sobre ella se han fabricado elementos para la caracterización y control de la tecnología.